Nuevo material magnético que impulsará la nanoelectrónica
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Nuevo material magnético que impulsará la nanoelectrónica
Un grupo de investigadores ha logrado crear por primera vez material magnético bidimensional, que ha sido fabricado artificialmente a partir de los defectos que presenta un óxido en forma de película delgada, un hallazgo que permitirá impulsar la nanoelectrónica.
Estos ingredientes abren una novedosa vía para el desarrollo de dispositivos electrónicos de memoria de muy alta densidad, ya que podrán usarse como acumuladores de información en Nanoelectrónica, han informado hoy fuentes de la Universidad de Zaragoza.
El hallazgo, del que acaban de dar cuenta en la revista Nature, se ha producido a raíz de una investigación del científico de la Fundación Agencia Aragonesa para la Investigación y Desarrollo Cesar Magén, en colaboración con otros grupos de investigación de Holanda, Alemania, Francia y Argentina y de otros centros de España.
Estas investigaciones se han llevado a cabo en uno de los microscopios electrónicos de ultra alta resolución Titán, ubicados en el Laboratorio de Microscopías Avanzadas (LMA) del Instituto de Nanociencia de Aragón (INA) de la Universidad de Zaragoza.
Dichas fuentes han explicado que los defectos que presentan los óxidos, de los que surge este nuevo material magnético, sirven como nanoreactores para la formación de esta nueva estructura artificial.
Este nuevo óxido sintético está compuesto de una ordenación muy precisa de átomos de terbio y manganeso, gracias a la cual presenta a baja temperatura un fuerte magnetismo muy localizado.
En función del espesor de la película que lo alberga, se puede sintetizar gran número de estos defectos que albergan estas estructuras atómicas, con una separación mínima de hasta 5 nanómetros.
Este descubrimiento abre también el camino para explorar la síntesis de materiales similares con otras funcionalidades, conductoras, ferroeléctricas, superconductoras, etc.
Los microscopios electrónicos Titán, de última generación y que se encuentran entre los más avanzados del mundo, permiten observar la estructura microscópica de la materia por debajo de la escala de 1 angstrom, diez veces más pequeño que un nanómetro, diez mil millonésima parte del metro.
Estos ingredientes abren una novedosa vía para el desarrollo de dispositivos electrónicos de memoria de muy alta densidad, ya que podrán usarse como acumuladores de información en Nanoelectrónica, han informado hoy fuentes de la Universidad de Zaragoza.
El hallazgo, del que acaban de dar cuenta en la revista Nature, se ha producido a raíz de una investigación del científico de la Fundación Agencia Aragonesa para la Investigación y Desarrollo Cesar Magén, en colaboración con otros grupos de investigación de Holanda, Alemania, Francia y Argentina y de otros centros de España.
Estas investigaciones se han llevado a cabo en uno de los microscopios electrónicos de ultra alta resolución Titán, ubicados en el Laboratorio de Microscopías Avanzadas (LMA) del Instituto de Nanociencia de Aragón (INA) de la Universidad de Zaragoza.
Dichas fuentes han explicado que los defectos que presentan los óxidos, de los que surge este nuevo material magnético, sirven como nanoreactores para la formación de esta nueva estructura artificial.
Este nuevo óxido sintético está compuesto de una ordenación muy precisa de átomos de terbio y manganeso, gracias a la cual presenta a baja temperatura un fuerte magnetismo muy localizado.
En función del espesor de la película que lo alberga, se puede sintetizar gran número de estos defectos que albergan estas estructuras atómicas, con una separación mínima de hasta 5 nanómetros.
Este descubrimiento abre también el camino para explorar la síntesis de materiales similares con otras funcionalidades, conductoras, ferroeléctricas, superconductoras, etc.
Los microscopios electrónicos Titán, de última generación y que se encuentran entre los más avanzados del mundo, permiten observar la estructura microscópica de la materia por debajo de la escala de 1 angstrom, diez veces más pequeño que un nanómetro, diez mil millonésima parte del metro.
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